PUDP-20V-R 时间：2025/12/27 16:11:27 阅读：13

PUDP-20V-R是一款由Power Integrations公司生产的高压硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率晶体管，专为高效率、高频开关电源应用而设计。该器件结合了氮化镓材料的高性能优势与成熟的硅基制造工艺，在保持成本可控的同时实现了优异的电气性能。PUDP-20V-R采用先进的封装技术，具备低热阻和优良的散热能力，适用于在紧凑空间内实现高功率密度的设计需求。该器件主要面向消费类电子产品、数据中心电源、工业电源以及可再生能源系统中的DC-DC转换和AC-DC变换器等应用场景。其设计目标是在提升系统效率的同时减少外围元件数量，从而降低整体系统成本并提高可靠性。此外，PUDP-20V-R集成了多项保护功能，如过温保护、短路保护和静电放电（ESD）防护，确保在复杂电磁环境和异常工作条件下仍能稳定运行。得益于氮化镓材料本身的宽禁带特性，该器件能够在更高的电压摆率和开关频率下工作，显著减小磁性元件和滤波电容的体积，推动电源系统向小型化、轻量化方向发展。

参数

产品类型：氮化镓功率晶体管
　　最大漏源电压（Vds）：200 V
　　连续漏极电流（Id）：30 A
　　脉冲漏极电流（Id, pulse）：120 A
　　导通电阻（Rds(on)）：45 mΩ
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.5 V
　　输入电容（Ciss）：4.8 nF
　　输出电容（Coss）：1.2 nF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247-3L
　　安装类型：通孔

特性

PUDP-20V-R的核心优势在于其采用了Power Integrations独有的PowiGaN?技术，这项技术将高性能的氮化镓场效应晶体管集成于标准硅基工艺平台上，实现了比传统硅基MOSFET更低的导通损耗和开关损耗。由于氮化镓材料具有更高的电子迁移率和临界电场强度，使得该器件可以在更高的频率下工作而不会导致效率大幅下降。这不仅提升了电源系统的整体能效，还允许使用更小的电感和电容元件，从而缩小整个电源模块的物理尺寸。器件的零反向恢复电荷特性意味着在桥式或同步整流拓扑中不会产生由体二极管引起的反向恢复电流尖峰，极大降低了电磁干扰（EMI）水平，并减少了开关节点的电压振铃现象，提高了系统的电磁兼容性。此外，PUDP-20V-R具备出色的动态性能，在快速开关过程中表现出稳定的栅极控制特性，配合优化的驱动电路可进一步提升系统效率。其封装设计注重热管理，TO-247-3L封装提供了良好的热传导路径，使器件在高负载条件下也能维持较低的工作温度，延长使用寿命。集成的多重保护机制包括实时温度监测与自动关断功能，当检测到异常温升或短路事件时能够迅速切断输出，防止故障扩大。这些特性共同使PUDP-20V-R成为下一代高效电源设计的理想选择，尤其适合追求极致效率与空间利用率的应用场景。
　　该器件还支持并联使用以满足更高功率等级的需求，由于其正温度系数的导通电阻特性，多个器件并联时能自然实现均流效果，无需复杂的外部均流电路。这种特性在大电流输出应用中尤为关键，有助于简化系统设计并提升可靠性。同时，PUDP-20V-R对驱动信号的要求较为宽松，兼容标准的栅极驱动器输出电平，降低了系统级设计的复杂度。其坚固的结构设计也增强了抗浪涌能力和长期运行稳定性，适用于各种严苛的工作环境。

应用

PUDP-20V-R广泛应用于需要高效率和高功率密度的电力转换系统中。典型应用包括超薄液晶电视和显示器的内置电源（IBD）、笔记本电脑和移动设备的适配器、USB PD快充充电器、服务器和数据中心的板载电源（POL）、工业自动化设备的开关电源模块以及太阳能微型逆变器等。在消费类电子领域，它被用于构建65W至300W范围内的高密度AC-DC电源，支持宽输入电压范围下的高效运行。在通信基础设施中，该器件可用于基站电源和光模块供电单元，提供稳定的直流电压输出。此外，PUDP-20V-R也可用于电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电源部分，以及电动工具和无人机等便携式设备的电池管理系统中。其高频工作能力使其特别适合采用LLC谐振转换器、有源钳位反激（ACF）和图腾柱无桥PFC等先进拓扑结构，帮助设计师实现95%以上的系统效率。在工业控制和医疗设备中，该器件因其高可靠性和低EMI特性而受到青睐，可用于构建符合严格安全与认证标准的隔离型电源系统。