时间：2025/12/25 10:43:45
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PTZTE2533B是一款由Panjit International Inc.生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），专为保护敏感电子设备免受瞬态电压事件（如静电放电ESD、电感负载切换、雷击感应等）的影响而设计。该器件采用紧凑的SOD-523小型化封装，具有低漏电流、快速响应时间和高脉冲功率承受能力等特点，适用于便携式电子产品和高密度电路板布局。PTZTE2533B属于双向TVS二极管，能够在正负两个方向上对过电压进行钳位，从而为数据线、电源线或信号线路提供可靠的双向保护。其主要应用领域包括消费类电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子中的次级保护电路。由于其优异的电气性能和小型封装，该器件特别适合用于空间受限但对可靠性要求较高的应用场景。
该TVS二极管的工作原理基于PN结雪崩击穿机制，在正常工作电压下呈现高阻抗状态，几乎不影响原电路功能；当遭遇瞬态过压时，器件迅速进入低阻态，将多余能量泄放到地，同时将被保护节点上的电压限制在安全范围内。这种自我复位特性使得TVS二极管无需更换即可多次应对瞬态冲击，提升了系统整体的耐用性和维护便利性。
类型：双向TVS二极管
封装：SOD-523
反向截止电压（VRWM）：25V
击穿电压（VBR）：最小27.8V，最大30.6V（测试电流I_T = 1mA）
钳位电压（VC）：45.4V（峰值脉冲电流IPP = 2.2A）
峰值脉冲功率（Ppk）：100W（8/20μs电流波形）
最大漏电流（IR）：≤1μA（在25V偏置电压下）
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
储存温度范围：-55°C 至 +150°C
引脚数：2
极性：双向
PTZTE2533B具备出色的瞬态抑制能力和稳定的电气特性，是现代电子系统中理想的过电压保护元件之一。其核心优势在于采用了先进的硅半导体工艺制造，确保了器件在面对高达100W脉冲功率的瞬态冲击时仍能保持稳定性能。由于其反向截止电压设定为25V，非常适合应用于24V工作系统的辅助保护，例如工业传感器接口、PLC输入模块、RS-485通信线路等场景。在遭遇ESD事件时，该器件可在皮秒级时间内响应并导通，有效防止高压尖峰传递至后级IC，避免造成永久性损坏。此外，其低静态漏电流（不超过1μA）意味着在正常运行状态下几乎不消耗额外功耗，这对于电池供电设备尤其重要。
另一个关键特性是其双向导通能力，使其能够同时应对正向和负向的瞬态电压冲击，这在交流耦合信号路径或双极性供电环境中尤为重要。相比单向TVS，双向结构更适合处理可能出现在任意极性的干扰源，如雷击感应或开关噪声。SOD-523封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.6mm x 1.2mm x 1.0mm），还具备良好的热传导性能，有助于在短时间内散发吸收的能量。该封装符合RoHS环保标准，并支持自动化贴片生产，便于大规模集成于PCB板上。
PTZTE2533B还展现出优异的长期可靠性，在高温高湿环境下的老化测试中表现出色，适合部署在严苛工业或户外环境中。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）进一步增强了其适应能力，可在极端气候条件下持续发挥作用。综合来看，这款TVS二极管以其高性能、小尺寸和高可靠性，成为众多电子设计工程师在进行EMI/EMC防护设计时的首选器件之一。
PTZTE2533B广泛应用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中，尤其是在空间受限且对稳定性要求高的便携式设备和工业控制装置中表现突出。常见应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的数据端口保护（如USB、HDMI接口），用于抵御用户操作过程中产生的静电放电（ESD）冲击。在通信领域，它可用于以太网端口、CAN总线、RS-232/RS-485差分线路的二级保护，防止远距离传输中引入的电磁干扰或雷击感应电压损坏主控芯片。此外，在智能家居和物联网终端设备中，该器件常被部署于电源输入端或传感器信号采集前端，提升系统的抗扰度和寿命。
在工业自动化系统中，PTZTE2533B可用于PLC数字量输入模块、编码器反馈线路或继电器驱动回路的保护，防止因电感负载断开时产生的反电动势导致控制器异常重启或烧毁。汽车电子方面，尽管不属于AEC-Q101认证器件，但仍可用于车内非关键系统的辅助电路保护，如车载信息娱乐系统的外部接口、OBD-II诊断端口等，增强整车电磁兼容性。此外，在医疗电子设备中，特别是在便携式监护仪或无线传输模块中，该TVS可帮助满足IEC 61000-4-2等国际抗扰度标准的要求，保障患者安全与设备正常运行。总之，任何存在瞬态电压风险且工作电压接近25V的场合，都是PTZTE2533B的理想用武之地。
P6KE25CA
SMAJ26CA
TPSMA26A
