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PTZTE2512B 发布时间 时间:2025/4/27 17:28:01 查看 阅读:5

PTZTE2512B 是一款基于 CMOS 工艺设计的高效降压型 DC-DC 转换器芯片,主要应用于需要稳定输出电压和高转换效率的场景。该芯片内置功率 MOSFET,具有小体积、低功耗、高效率的特点,适合便携式电子设备及各类电源管理应用。
  其工作电压范围较宽,输入电压范围为 2.7V 至 6V,能够提供固定 3.3V 的稳定输出电压,并支持高达 1.2A 的持续输出电流。此外,PTZTE2512B 集成了多种保护功能,包括过流保护、短路保护以及过温保护,确保在复杂工况下的可靠性。

参数

输入电压范围:2.7V~6V
  输出电压:3.3V
  最大输出电流:1.2A
  开关频率:1.2MHz
  工作效率:高达93%
  启动电压:2.3V
  待机电流:1uA
  封装形式:SOT-23-6

特性

PTZTE2512B 具有以下显著特点:
  1. 内置功率 MOSFET 和补偿电路,简化了外围电路设计,减少了元器件数量。
  2. 支持高达 1.2MHz 的开关频率,允许使用更小尺寸的电感和电容,从而节省 PCB 空间。
  3. 提供精准的输出电压调节能力,输出电压精度可达到 ±2%。
  4. 高效能表现,在轻载条件下自动进入脉冲跳跃模式 (PFM),以提高转换效率。
  5. 低静态电流设计,非常适合电池供电的低功耗应用场景。
  6. 强大的保护机制,确保芯片在异常情况下不会损坏。

应用

PTZTE2512B 广泛适用于各种便携式电子设备及消费类电子产品中,例如:
  1. 智能手机和平板电脑的内部电源管理模块。
  2. 可穿戴设备如智能手表、健康手环等。
  3. 无线耳机及蓝牙音频设备。
  4. 小型物联网设备 (IoT) 和传感器节点。
  5. 数码相机及其他便携式影像设备。
  6. 各类 USB 供电的外围设备。

替代型号

AP2112K
  LM2512B
  MP2512

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PTZTE2512B参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)12.5V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 9V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最大1W
  • 阻抗(最大)(Zzt)8 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商设备封装PMDS
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-
  • 其它名称PTZTE2512BDKR