型号：PTZTE2510B
　　制造商：Panjit International Inc.
　　产品类型：TVS二极管阵列
　　通道数：2
　　极性：双向
　　封装/外壳：SOD-323
　　反向截止电压（VRWM）：25V
　　击穿电压（VBR）：Min 27.8V, Max 30.6V @ Test Current (IT)=1mA
　　最大钳位电压（VC）：42.1V @ Peak Pulse Current (IPP)=1A
　　峰值脉冲功率（Ppk）：300W（8/20μs波形）
　　测试电流（IT）：1mA
　　最大反向漏电流（IR）：≤1μA @ VRWM=25V
　　电容值（Cj）：Typ 10pF @ Reverse Voltage=0V, f=1MHz
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）

PTZTE2510B的核心特性之一是其双向瞬态抑制能力，这使得它特别适用于交流信号线路或双向数据通信端口的保护，比如I2C、SPI、UART、USB D+/D-差分对等。每个TVS单元都可以在正负方向上响应瞬态过压事件，确保无论极性如何变化都能提供一致的保护性能。这种双向结构通过内部背靠背（back-to-back）的PN结设计实现，在静态条件下呈现极高阻抗状态，仅在超过击穿电压时迅速切换至低阻抗导通模式，将多余能量泄放到地。
　　另一个关键特性是低动态电阻与快速响应时间。由于采用了先进的硅半导体工艺，PTZTE2510B能够在纳秒甚至皮秒量级内响应ESD冲击（如IEC 61000-4-2 Level 4 ±8kV接触放电），并迅速将电压钳制在安全范围内（典型VC为42.1V@1A）。这一特性有效避免了瞬态高压传递到后级CMOS或ASIC芯片输入端，显著提升系统稳定性与MTBF（平均无故障时间）。
　　该器件还具备极低的寄生电容（典型值10pF），这对于高频信号传输路径至关重要。低电容意味着对原始信号波形的影响最小，不会引起明显的信号衰减、反射或失真，因此非常适合用于高速接口保护，例如USB 2.0 Full Speed、RS-232、音频线路及其他模拟/数字混合信号链路。此外，其小尺寸SOD-323封装不仅节省PCB空间，还能简化布局布线，减少走线长度带来的额外感抗，进一步增强EMI抑制效果。
　　PTZTE2510B还具有优异的热稳定性和循环耐久性，可承受多次高强度瞬态冲击而不发生性能退化。其额定300W脉冲功率（8/20μs）支持IEC 61000-4-5浪涌测试要求，适用于工业环境中的严苛电磁条件。整体设计兼顾高性能、小型化与高可靠性，是现代电子设备EMC设计中不可或缺的元件之一。

PTZTE2510B广泛应用于各类需要抗干扰和瞬态过压保护的电子系统中。典型应用场景包括消费类电子产品中的USB Type-A/B/C接口、耳机插孔、触摸屏控制器连接线、存储卡槽（SDIO）、按键背光电路等，这些位置极易因人体接触产生静电放电，使用该TVS阵列可有效防止ESD导致的功能异常或芯片损坏。
　　在通信领域，该器件可用于以太网PHY前端、RS-485/RS-232收发器、CAN总线节点保护等，特别是在工业自动化控制系统中，面对复杂的电气环境和长距离电缆引入的感应浪涌，PTZTE2510B能够提供基础但关键的初级防护层。
　　此外，在汽车电子子系统中，尽管主要电源线通常采用更高功率的TVS或气体放电管，但对于车载信息娱乐系统的辅助信号线（如按钮输入、传感器接口）、导航模块I/O引脚等低压控制线路，PTZTE2510B因其通过AEC-Q101认证而具备车规适用性，可用于提升整体系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　其他应用还包括医疗仪器前端接口、智能家居设备无线模块（Wi-Fi/BT）天线偏置线保护、便携式测量仪表的人机交互界面等。只要存在潜在的瞬态电压威胁且空间有限，PTZTE2510B都是一个经济高效且技术成熟的解决方案。

SMF25CAHE3/54
　　SRV05-4
　　TPD2E2U06DCKR
　　ESD9L25.0ST5G