类型：齐纳二极管
　　极性：单齐纳
　　标称齐纳电压：8.2V
　　电压容差：±5%
　　最大功率耗散：500mW
　　最大齐纳电流：50mA
　　动态阻抗：≤15Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-323
　　反向漏电流：≤1μA（在额定电压下）

PTZ8.2B齐纳二极管的核心特性之一是其精确的电压调节能力。在反向偏置条件下，当电压达到其标称值8.2V时，器件进入齐纳击穿区，并在此电压下保持相对恒定的电压降，即使电流在其工作范围内发生显著变化。这种稳定的电压输出使其成为理想的电压参考源，尤其适用于需要高精度电压基准的模拟电路，例如运算放大器的偏置电路、ADC/DAC的参考电压生成以及电源反馈回路中的稳压节点。
　　该器件具有较低的动态阻抗（通常小于15Ω），这意味着在负载电流变化时，输出电压的波动极小，从而提高了系统的整体稳定性。同时，PTZ8.2B具备良好的温度系数，在整个工作温度范围内（-55°C至+150°C）电压漂移较小，确保了在高温或低温环境下依然能够可靠运行。这对于汽车电子、工业控制等严苛环境下的应用尤为重要。
　　另一个关键优势是其小型化封装（SOD-323），不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升制造效率。该封装具备良好的散热性能，能够在有限的空间内有效散发热量，防止因过热导致性能下降或损坏。此外，PTZ8.2B的反向漏电流非常低（≤1μA），在待机或低功耗模式下几乎不消耗额外电能，有助于延长电池寿命。
　　该齐纳二极管还具备快速响应特性，能在瞬态电压突变时迅速进入稳压状态，抑制电压尖峰，保护后续电路元件。其制造工艺符合AEC-Q101等可靠性标准，适用于对质量和稳定性要求较高的应用场景。综合来看，PTZ8.2B凭借其高精度、小尺寸、低功耗和高可靠性，成为现代电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

PTZ8.2B齐纳二极管广泛应用于多种电子系统中，主要作为电压参考和稳压元件使用。在电源管理系统中，它常被用于低压直流-直流转换器的反馈回路，以提供稳定的参考电压，确保输出电压的精度和稳定性。在嵌入式系统和微控制器单元（MCU）中，PTZ8.2B可用于为内部ADC模块提供参考电压，提高模数转换的准确性，尤其是在传感器数据采集系统中，如温度、压力或光强检测电路。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）的信号调理电路中，作为电平钳位或电压限制元件，防止输入信号超出安全范围而损坏敏感集成电路。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，PTZ8.2B因其小型封装和低功耗特性，被广泛用于电池电压监测电路或LED驱动电路中的稳压环节。
　　此外，在汽车电子系统中，PTZ8.2B可用于车载传感器接口电路、ECU（电子控制单元）的电源监控模块以及车身控制模块中的电压基准源。由于其宽工作温度范围和高可靠性，能够适应发动机舱内的高温环境或寒冷气候条件下的正常工作。
　　在测试与测量设备中，如示波器、万用表或信号发生器中，PTZ8.2B也可作为精密电压基准使用，确保仪器读数的准确性和一致性。总之，该器件适用于任何需要稳定、精确且紧凑型电压参考的场合，是现代电子设计中广泛应用的基础元件之一。

BZX84-C8V2
　　MMSZ5237B
　　SZBZT52C8V2