时间：2025/7/9 17:27:56
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PTVSHC3N5VU 是一款 N 治道高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 Infineon Technologies 的 CoolMOS 系列。该器件专为高电压应用设计，具有出色的开关性能和低导通电阻特性，适合于各种电源管理场景，例如开关电源、DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
PTVSHC3N5VU 采用超结技术制造，能够在高电压条件下实现高效的功率转换，并且具备较低的栅极电荷和输出电荷，从而减少开关损耗。此外，该器件还具有快速的开关速度和较强的雪崩能力。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3.14A
导通电阻：280mΩ
栅极电荷：19nC
总电容：105pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
PTVSHC3N5VU 具有以下主要特性：
1. 高电压耐受能力，能够承受高达 600V 的漏源电压。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 280mΩ，有助于降低传导损耗。
3. 快速的开关速度，得益于其较小的栅极电荷和输出电荷。
4. 出色的热稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的性能。
5. 强大的雪崩能力，确保在异常条件下仍能可靠运行。
6. 采用 TO-220 封装，便于散热和安装。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
PTVSHC3N5VU 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率开关。
2. DC-DC 转换器，用于电压调节和能量传输。
3. 功率因数校正（PFC）电路，以提高系统的功率因数并满足相关法规要求。
4. 工业电机驱动和控制应用。
5. 各种需要高效率和高可靠性的电力电子设备中，如 UPS、充电器等。
CoolMOS C7 系列中的 IPP030N06S7
CoolMOS PFD7 系列中的 IPT032N06P7
STMicroelectronics 的 STP3NC60DM
ON Semiconductor 的 FGA3N60SMD
