时间：2025/7/4 20:35:27
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PTVSHC3N4V8U 是一款基于硅技术的高压、高功率 TVS（瞬态电压抑制）二极管，专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌和其他瞬态过压事件的影响而设计。该器件具有低电容特性，非常适合高速数据线和射频应用。
它采用了 SMC 封装形式，确保了较高的散热性能和机械稳定性。此外，PTVSHC3N4V8U 符合 AEC-Q101 标准，使其特别适用于汽车电子系统中的过压保护。
最大工作电压：4V
击穿电压：5.1V
峰值脉冲电流：29A
箝位电压：6.8V
结电容：3pF
响应时间：1ns
最大反向漏电流：1μA
封装类型：SMC
1. 高浪涌能力，能够承受高达 29A 的峰值脉冲电流。
2. 极快的响应时间（1ns），可迅速抑制瞬态过压事件。
3. 超低结电容（仅 3pF），适合高速信号线路保护。
4. 符合 AEC-Q101 标准，保证在恶劣环境下的可靠性。
5. 双向电压保护设计，提供对称的正负电压保护。
6. 工作温度范围广（-55°C 至 +175°C），适应各种极端条件。
1. 汽车电子系统的信号线保护。
2. 工业自动化设备中的接口保护。
3. 高速通信端口（如 USB、HDMI、以太网等）的 ESD 和浪涌保护。
4. 移动设备及消费类电子产品中的电源和信号线保护。
5. 射频模块和无线通信设备中的瞬态电压抑制。
6. 医疗设备中关键信号路径的保护。
PMSM844CT, SMAJ4.0A, P6KE4.0CA
