时间：2025/6/22 0:23:34
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PTVSHC3N30VUP 是一款 N 沟道增强型垂直 DMOS 功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其额定电压为 30V，能够满足中低压电路设计的需求。
PTVSHC3N30VUP 的封装形式为 UFQFN5x6-8L，这种小型化封装使其非常适合空间受限的应用场景。此外，它还具备出色的热性能和电气性能，确保在高功率密度条件下可靠运行。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：49A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：27nC
输入电容：3040pF
反向传输电容：780pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装类型：UFQFN5x6-8L
PTVSHC3N30VUP 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高雪崩击穿能量（EAS）和坚固的体二极管，增强了器件的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
5. 小型化的 UFQFN 封装支持更紧凑的设计布局。
6. 广泛的工作温度范围使得其在极端环境下也能稳定运行。
PTVSHC3N30VUP 被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器的功率开关元件。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 电池管理系统的充放电保护。
5. 照明设备中的 LED 驱动器。
6. 各种工业自动化和消费电子产品的功率级解决方案。
IRF3710,
STP55NF06,
FDP5580,
AO3402
