时间：2025/7/4 3:54:59
阅读：18
PTVSHC3N20VU 是一款基于超结（Super-Junction）技术的 N 沣道场效应晶体管（MOSFET），由英飞凌（Infineon）公司生产。该器件专为高频开关应用设计，具备低导通电阻和快速开关速度的特点。其高效率和紧凑的设计使其非常适合于功率转换电路、DC-DC 转换器、电源适配器和充电器等应用领域。
超结技术通过优化 MOSFET 的内部结构，显著降低了导通电阻 Rds(on)，从而提高了能效并减少了热损耗。此外，PTVSHC3N20VU 具有出色的热稳定性和抗浪涌能力。
型号：PTVSHC3N20VU
类型：N 沖 MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：650 V
RDS(on)（导通电阻）：180 mΩ（典型值，25°C）
ID（连续漏极电流）：4.3 A
Qg（栅极电荷）：37 nC
EAS（雪崩能量）：350 mJ
fsw（最大开关频率）：1 MHz
封装：TO-252 (DPAK)
PTVSHC3N20VU 的主要特性包括：
1. 高压耐受能力：高达 650 V 的漏源极击穿电压确保了该器件在高压环境下的稳定性。
2. 低导通电阻：RDS(on) 仅为 180 mΩ，在高频开关条件下能够有效减少传导损耗。
3. 快速开关性能：低栅极电荷 Qg 和快速开关速度使得 PTVSHC3N20VU 在高频应用中表现出色。
4. 超结技术：采用超结架构优化了功率密度和热性能。
5. 紧凑型封装：TO-252 封装提供良好的散热性能，同时节省了 PCB 布局空间。
6. 高可靠性：符合工业级标准，能够在恶劣环境下长期运行。
PTVSHC3N20VU 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器。
2. 电机驱动：控制小型电机的启停和调速。
3. 充电器：便携式设备和电池充电解决方案。
4. LED 照明：实现高效驱动电路。
5. 工业控制：用于各种工业自动化和控制设备中的功率管理模块。
由于其高压和低导通电阻的特点，PTVSHC3N20VU 特别适合需要高效率和小体积的功率转换场景。
IPW60R190C6
STP65NE18KP
FDP6800
