时间：2025/4/3 11:13:55
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PTVSHC3N15VUH 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特性。它广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理模块等领域。
这款 MOSFET 的封装形式为 PowerDI6x7（DFN 封装），非常适合空间受限的设计场景，同时具备出色的散热性能。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：12A
导通电阻：8.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：19nC（典型值）
输入电容：1420pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：PowerDI6x7
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗。
2. 快速开关能力，支持高频操作，有助于提高系统效率。
3. 高雪崩能量承受能力，增强系统的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
5. 小型化封装，适合紧凑型设计需求。
6. 内置反向二极管，优化续流性能。
7. 优异的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率级元件。
3. 电池管理系统 (BMS) 的负载开关。
4. 工业电机控制及驱动电路。
5. 便携式设备中的高效电源管理方案。
6. 光伏逆变器与储能系统中的功率转换模块。
IRF7846TRPBF, FDP040N15A
