时间：2025/4/28 18:30:32
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PTVSHC3N12VU是一种基于超结技术的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关应用和高效率电源转换场景。该器件采用TO-263封装，具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压的特点。它通常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用中。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：3.4A
导通电阻：3.9Ω
栅极电荷：10nC
输入电容：370pF
总耗散功率：18W
工作结温范围：-55℃至+175℃
PTVSHC3N12VU采用了先进的超结技术，使得其在高电压条件下仍能保持较低的导通电阻，从而减少传导损耗。此外，该器件具备快速开关特性，有助于降低开关损耗并提高系统效率。
其高耐压能力使其非常适合应用于需要承受高电压的工业场景，例如太阳能逆变器、电动汽车充电设备和不间断电源（UPS）。同时，其小型化的封装设计也便于在紧凑型电路板上进行布局。
该器件还具备良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行，进一步提升了系统的鲁棒性。
PTVSHC3N12VU广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电机驱动
- 太阳能逆变器
- 不间断电源（UPS）
- 电动车辆充电系统
由于其高耐压和低导通电阻特性，这款MOSFET特别适合用于对效率和可靠性要求较高的高压应用环境。
PTVSHC3N12TDP, FCH03N120, IRFB7824PbF
