时间：2025/7/9 17:25:45
阅读：14
PTVSHC3N10VU 是一款 N 沟道功率 MOSFET，属于超低电容和高切换速度的晶体管。该器件采用 Infineon 的 CoolMOS 技术制造，主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器、PWM 控制器等场景。
这款 MOSFET 的额定电压为 100 V，并具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和极高的效率，非常适合需要高性能和高效能转换的应用环境。
最大漏源电压：100 V
连续漏极电流：3.4 A
导通电阻 (Rds(on))：260 mΩ
栅极-源极电压 (Vgs)：±20 V
功耗：780 mW
工作温度范围：-55 ℃ 至 +150 ℃
封装类型：SOT-223
PTVSHC3N10VU 的关键特性包括：
1. 高效的 CoolMOS 技术确保了更低的开关损耗。
2. 极低的输入和输出电容，使得其具备更快的开关速度，减少能量损失。
3. 出色的热稳定性，能够承受高达 150°C 的结温。
4. 提供高可靠性，支持高频操作环境下的稳定性能。
5. 小型封装设计，有助于节省 PCB 空间，适合紧凑型设计应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺生产。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，例如笔记本电脑适配器和显示器电源。
2. DC-DC 转换器，用于工业设备和汽车电子系统。
3. LED 驱动器中的功率管理模块。
4. 光伏逆变器及储能系统的电池管理系统。
5. 各种需要快速开关动作和低导通电阻的电力控制电路。
6. PWM 控制器和电机驱动器中作为功率开关元件。
IPD015N10N3, PTD200N10T3
