时间：2025/4/28 17:08:14
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PTVSHC3D18VU是一款来自STMicroelectronics（意法半导体）的高压ESD保护二极管阵列。该器件专为高速信号线提供瞬态电压抑制保护而设计，能够有效防止静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态过电压事件对敏感电子设备造成的损害。
PTVSHC3D18VU适用于多种高速接口，例如USB、HDMI、以太网等，并且具有低电容特性，从而不会对信号完整性产生显著影响。
类型：ESD保护二极管阵列
工作电压：18V
最大箝位电压：29.4V
峰值脉冲电流：±15A（8/20μs）
电容：0.5pF（典型值）
响应时间：≤1ps
封装：SMD
工作温度范围：-55℃至+150℃
PTVSHC3D18VU具备以下主要特性：
1. 极低的负载电容，确保在高速应用中信号失真最小化。
2. 快速响应时间，能够在瞬间将过电压箝位到安全水平。
3. 高浪涌能力，可以承受高达±15A的峰值脉冲电流。
4. 符合IEC 61000-4-2（ESD防护标准）要求，支持高达±30kV的接触放电和±30kV的空气放电。
5. 小型化封装，适合空间受限的设计需求。
6. 可靠性高，适用于工业级环境。
PTVSHC3D18VU广泛应用于需要高性能ESD保护的各种场景，包括但不限于：
1. 高速数据接口保护，如USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、以太网。
2. 移动设备中的天线端口保护。
3. 工业自动化设备中的通信端口保护。
4. 汽车电子系统中的控制模块保护。
5. 消费类电子产品中的音频/视频信号线保护。
6. 无线通信设备中的射频前端保护。
STMESD3V3SC6, PESD5V0R1BSF
