时间：2025/7/8 9:22:29
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PTVSHC1DF8VB 是一款高性能的 TVS（瞬态电压抑制器）二极管，主要用于保护电路免受过电压瞬变的影响，例如由雷击、静电放电（ESD）或负载突降引起的瞬态电压。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低电容和快速响应时间的特点，非常适合高速数据线路和信号线的保护应用。
PTVSHC1DF8VB 的设计符合 AEC-Q101 标准，确保其在汽车级应用中的可靠性和稳定性。此外，它具有双向保护功能，能够在正负方向上提供对称的保护性能。
最大反向工作电压：14V
击穿电压：15.8V
最大箝位电压：36V
峰值脉冲电流：23.9A
寄生电容：7pF
响应时间：1ps
结电容：7pF
功耗：400W
封装形式：DO-214AC(SMC)
PTVSHC1DF8VB 提供了卓越的瞬态电压抑制能力，能够有效保护敏感电子设备免受高能量瞬态电压的损害。它的双向结构使其适用于交流线路和差分信号线路。
该器件具有非常低的寄生电容，仅为 7pF，这对高速数据传输非常重要，可以减少对信号完整性的干扰。同时，它的响应时间极短，仅为 1ps，能迅速抑制瞬态电压，保护后端电路。
由于符合 AEC-Q101 标准，PTVSHC1DF8VB 在极端温度范围（-55°C 至 +175°C）内仍能保持稳定的性能，适合用于汽车电子、工业控制和其他恶劣环境下的应用。
PTVSHC1DF8VB 广泛应用于需要过电压保护的场合，包括但不限于以下领域：
1. 汽车电子系统中的 CAN 总线、LIN 总线保护。
2. 工业自动化设备中的传感器接口保护。
3. 高速通信接口如 USB、以太网、HDMI 等的 ESD 和浪涌保护。
4. 移动设备中的电池充电接口保护。
5. 医疗设备中的关键信号线路保护。
PMSZ36CA, SMAJ15A, P6KE15CA
