PTVSHC1DF8VB 是一款高性能的 TVS(瞬态电压抑制器)二极管,主要用于保护电路免受过电压瞬变的影响,例如由雷击、静电放电(ESD)或负载突降引起的瞬态电压。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低电容和快速响应时间的特点,非常适合高速数据线路和信号线的保护应用。
PTVSHC1DF8VB 的设计符合 AEC-Q101 标准,确保其在汽车级应用中的可靠性和稳定性。此外,它具有双向保护功能,能够在正负方向上提供对称的保护性能。
最大反向工作电压:14V
击穿电压:15.8V
最大箝位电压:36V
峰值脉冲电流:23.9A
寄生电容:7pF
响应时间:1ps
结电容:7pF
功耗:400W
封装形式:DO-214AC(SMC)
PTVSHC1DF8VB 提供了卓越的瞬态电压抑制能力,能够有效保护敏感电子设备免受高能量瞬态电压的损害。它的双向结构使其适用于交流线路和差分信号线路。
该器件具有非常低的寄生电容,仅为 7pF,这对高速数据传输非常重要,可以减少对信号完整性的干扰。同时,它的响应时间极短,仅为 1ps,能迅速抑制瞬态电压,保护后端电路。
由于符合 AEC-Q101 标准,PTVSHC1DF8VB 在极端温度范围(-55°C 至 +175°C)内仍能保持稳定的性能,适合用于汽车电子、工业控制和其他恶劣环境下的应用。
PTVSHC1DF8VB 广泛应用于需要过电压保护的场合,包括但不限于以下领域:
1. 汽车电子系统中的 CAN 总线、LIN 总线保护。
2. 工业自动化设备中的传感器接口保护。
3. 高速通信接口如 USB、以太网、HDMI 等的 ESD 和浪涌保护。
4. 移动设备中的电池充电接口保护。
5. 医疗设备中的关键信号线路保护。
PMSZ36CA, SMAJ15A, P6KE15CA