时间：2025/4/3 11:16:28
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PTVSHC1DF7VU 是一款基于 Infineon Technologies 的高压 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），属于 CoolMOS 系列。此器件采用了先进的超级结技术，旨在提供高效率和卓越的开关性能，特别适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及太阳能逆变器等应用。其设计目标是降低导通电阻和开关损耗，同时保持高可靠性。
型号：PTVSHC1DF7VU
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds)：700 V
连续漏极电流(Id)：1.4 A
导通电阻(Rds(on))：5.3 Ω（最大值，在室温条件下）
栅极电荷(Qg)：8 nC（典型值）
总功耗(Ptot)：2.1 W
封装类型：TO-263-3
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
PTVSHC1DF7VU 的主要特点是其结合了低导通电阻与高耐压能力。它通过超级结技术实现了比传统硅基功率 MOSFET 更高的能效，尤其在高频开关应用中表现突出。
1. 高击穿电压（700V），适用于多种高压场景。
2. 极低的 Rds(on)，减少传导损耗。
3. 快速开关速度，有效降低开关损耗。
4. 小型化封装设计，节省电路板空间。
5. 内置 ESD 和雪崩保护功能，增强了系统可靠性。
此外，该器件还具备出色的热稳定性和抗电磁干扰能力，使其能够适应恶劣的工作环境。
1. 开关电源（SMPS）：包括适配器、充电器和工业电源。
2. DC-DC 转换器：例如汽车电子中的电压调节模块。
3. 太阳能微型逆变器：用于将光伏电池产生的直流电转换为交流电。
4. LED 驱动器：特别是在高亮度 LED 照明系统中。
5. 家用电器：如空调、冰箱等需要高效功率控制的设备。
6. 工业自动化：电机控制和其他大功率负载管理。
该器件凭借其高性能和稳定性，成为众多高压应用场景的理想选择。
IPD70N07P4L2A
IPP070N0SC070N07NS3
IXFN120N70T2
