时间：2025/6/29 12:14:36
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PTVSHC1DF51VU是一款来自英飞凌（Infineon）的高压MOSFET晶体管，采用TO-263-3封装形式。该器件属于P沟道增强型MOSFET，主要用于开关和调节应用中。它适用于高电压场景，具有低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于工业、汽车及消费类电子产品领域。
PTVSHC1DF51VU通过优化的结构设计实现了高效率和可靠性，能够承受高达750V的漏源极击穿电压，并且在较低的栅极驱动电压下仍然具备良好的导通性能。
类型：P沟道MOSFET
封装：TO-263-3
最大漏源电压(Vds)：750V
连续漏极电流(Id)：-1.4A
栅极阈值电压(Vgs(th))：-2.1V至-4V
导通电阻(Rds(on))：18Ω（典型值，在Vgs=-10V时）
功耗(Ptot)：79W
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高压能力：支持高达750V的工作电压，非常适合高电压应用场景。
2. 低导通电阻：典型Rds(on)为18Ω，确保了高效能量传输和较低的功率损耗。
3. 快速开关性能：由于其内部优化设计，开关速度较快，适合高频电路应用。
4. 高温稳定性：能够在-55℃到+175℃的宽温度范围内稳定工作，满足苛刻环境下的使用需求。
5. 小型化封装：TO-263-3封装有助于节省PCB空间，同时保持良好的散热性能。
1. 开关电源（SMPS）中的开关元件。
2. 直流电机控制及驱动。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 汽车电子系统中的电源管理模块。
5. LED驱动器和其他需要高电压切换的应用场景。
IRF650PBF, FDP7550N
