PTVSHC1DF12VU 是一款基于硅材料制造的高速瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于 PTVSHC 系列。该器件具有单向保护功能,专为需要快速响应和高浪涌能力的应用而设计。它能够有效保护电路免受静电放电(ESD)、雷击和其他瞬态电压的损害。其典型应用场景包括数据线保护、通信接口保护和电源线瞬态抑制等。
PTVSHC1DF12VU 的额定反向关断电压为 12V,能够在高达 30A 的峰值脉冲电流下工作,并具备低电容和低漏电流特性,确保信号完整性不受影响。
类型:瞬态电压抑制二极管
型号:PTVSHC1DF12VU
反向关断电压(VRWM):12V
峰值脉冲电流(IPP):30A
最大箝位电压(VC):19.4V
结电容(CJ):7pF
反向漏电流(IR):1μA
响应时间(tR):1ps
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:DO-214AC(SMC)
1. 快速响应时间(1ps),能够及时抑制瞬态电压脉冲。
2. 高浪涌能力,可承受 30A 峰值脉冲电流。
3. 低结电容(7pF),适合高频应用环境。
4. 极低的反向漏电流(1μA),减少功耗。
5. 工作温度范围宽广(-55℃ 至 +175℃),适应极端环境。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
7. 可靠性高,适合长时间运行的工业和消费类电子设备。
1. 数据线保护,如 USB、HDMI 和其他高速接口。
2. 通信接口保护,例如 RS-232、RS-485 和 CAN 总线。
3. 电源输入端口的瞬态电压抑制。
4. 汽车电子系统中的信号线保护。
5. 工业自动化设备的接口防护。
6. 消费电子产品中防止 ESD 和雷击浪涌损坏。
7. 医疗设备中的敏感电路保护。
PTVSHC1UA12VU, SMAJ12A, SMBJ12CA