PTVSHC1DF12VB 时间：2025/7/7 10:29:22 阅读：6

PTVSHC1DF12VB 是一款高性能的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，主要用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD)、感应雷击和其他瞬态过压事件的影响。该器件采用 DO-214AC 封装，具有低电容和快速响应时间的特性，非常适合高速数据线和信号线路的保护。
　　PTVSHC1DF12VB 的设计使其能够在不影响系统性能的情况下提供高水平的保护。其单向极性结构适用于直流供电电路或需要方向性保护的应用场景。

参数

工作电压（VRWM）：12V
　　峰值脉冲功率（PP）：600W（@ 10/1000μs）
　　最大反向漏电流（IR）：1μA（@ VRWM）
　　击穿电压（VBR）：13.3V
　　箝位电压（VC）：22.8V（@ IPP=8.4A）
　　峰值脉冲电流（IPP）：8.4A（@ 10/1000μs）
　　电容（C）：15pF（典型值）
　　响应时间（tR）：1ps
　　封装形式：DO-214AC（SMA）

特性

PTVSHC1DF12VB 具有以下显著特性：
　　1. 极低的电容（15pF），适合高速信号线路保护。
　　2. 快速响应时间（1ps），可有效抑制瞬态过压威胁。
　　3. 高峰值脉冲功率处理能力（600W），确保在高能量冲击下的可靠性。
　　4. 单向保护结构，适合直流供电应用。
　　5. 符合 AEC-Q101 标准，保证了其在汽车电子环境中的稳定性。
　　6. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +175℃），适用于恶劣环境下的应用。

应用

PTVSHC1DF12VB 广泛应用于需要瞬态电压保护的场合，具体包括：
　　1. 汽车电子系统的信号线保护，例如 CAN 总线、LIN 总线等。
　　2. 工业自动化设备中的通信接口保护，如 RS-232、RS-485 等。
　　3. 移动设备中的 USB 数据线和充电端口保护。
　　4. 电信设备中的以太网端口保护。
　　5. 高速数据传输线路上的 ESD 和浪涌保护。