PTVS7V5P1UP,115 是由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和其他瞬态电压事件的损害。该器件采用单向TVS结构,能够快速响应电压尖峰并将其安全地引导到地,从而保护后续电路元件不受损坏。该型号具有低钳位电压、快速响应时间和高可靠性等特点,适用于各种需要高静电防护能力的应用场合。
类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
方向:单向
工作电压:7.5V
击穿电压:8.3V
最大钳位电压:12.8V
峰值脉冲电流(Ipp):10A
响应时间:小于1ns
封装形式:SOT23
功率耗散:300W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
PTVS7V5P1UP,115 具备多项优良特性,适用于高要求的电路保护应用。
首先,该器件的击穿电压为8.3V,工作电压为7.5V,能够在电压超过额定值时迅速导通,将多余的电压能量泄放到地,从而保护电路中的敏感元件。其最大钳位电压为12.8V,这意味着在发生瞬态电压事件时,它能将电压限制在一个较低的水平,避免对下游电路造成损害。
其次,PTVS7V5P1UP,115 的响应时间小于1纳秒,使其能够快速响应静电放电和瞬态电压冲击,确保电路在最短时间内得到保护。这种快速响应能力对于现代高速电子设备尤其重要,因为它们对电压波动非常敏感。
此外,该器件具有高达10A的峰值脉冲电流承受能力,可以应对较大的瞬态电流冲击。其封装形式为SOT23,是一种小型表面贴装封装,便于在空间受限的PCB布局中使用,同时也能提供良好的散热性能。
最后,PTVS7V5P1UP,115 的工作温度范围为-55℃至+150℃,适应各种严苛的工作环境,保证在极端温度下仍能稳定工作。其功率耗散为300W,表明该器件能够承受较大的瞬态能量冲击而不会损坏。
PTVS7V5P1UP,115 主要用于需要高静电和瞬态电压保护的电子设备中。常见应用包括通信设备、消费类电子产品、工业控制系统、汽车电子模块以及便携式电子设备等。
例如,在USB接口、HDMI接口、以太网端口等高速数据传输接口中,该TVS二极管可用于防止静电放电对内部IC造成损坏。在汽车电子系统中,它可以用于保护CAN总线、LIN总线等关键通信线路免受电压瞬变的影响。
此外,该器件也广泛用于电源输入端,作为第一道防线,防止因电源波动或雷击引起的电压浪涌损坏系统内部的敏感电子元件。
PESD7V5P1UP,115; PTVS4V3P1UP,115; PTVS7V5P1U; PTVS7V5AP1UP,115