时间：2025/9/14 12:01:23
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PTVS54VS1UR,115 是一款由Nexperia（安世半导体）制造的双向电压抑制二极管（TVS），用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌和瞬态电压的影响。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力，广泛应用于通信接口、便携式设备和工业控制系统等对静电敏感的场合。
类型：双向TVS二极管
反向断态电压（VRWM）：54V
击穿电压（VBR）：60V（最小）至66.4V（最大）
钳位电压（VC）：96V（最大）
峰值脉冲电流（IPP）：7.8A（8/20μs波形）
响应时间（tRESP）：小于1ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-323
安装类型：表面贴装（SMD）
PTVS54VS1UR,115 采用先进的硅雪崩技术，具备极快的响应时间，能够在纳秒级别内对瞬态电压做出反应，从而有效保护下游电路。该TVS二极管具有低漏电流特性，在正常工作条件下几乎不消耗额外功耗。其双向结构使其适用于正负电压波动的保护场景，例如RS-485、CAN总线等差分信号线路。器件符合IEC 61000-4-2 Level 4 ESD保护标准，提供高达±30kV的空气放电保护能力。此外，该器件具有高可靠性和稳定性，适用于严苛环境下的工业应用。
PTVS54VS1UR,115 常用于通信设备、工业自动化系统、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）以及汽车电子系统的接口保护。典型应用包括USB、HDMI、以太网、RS-485和CAN总线接口的静电放电保护。
PESD54VS1UR,115
