时间：2025/9/14 12:08:55
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PTVS40VS1UTR,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的射频功率MOSFET晶体管，专门设计用于高频、高功率应用。该器件属于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术家族，适用于射频放大器和通信设备。
类型：射频功率MOSFET
最大漏极电流（Id）：25A
漏源电压（Vds）：65V
栅源电压（Vgs）：±20V
频率范围：典型工作频率为2GHz
封装类型：AB（TO-247）封装
增益：约18dB
输出功率：40W
阻抗：50Ω
工作温度范围：-65°C至+150°C
PTVS40VS1UTR,115 是一款专为高频率和高功率设计的射频MOSFET晶体管。该器件基于LDMOS技术，具有出色的线性度和效率，使其成为现代通信系统中的理想选择。该晶体管可在高达2GHz的频率下工作，适用于宽带无线通信系统，如WiMAX、DVB-T和其他数字广播应用。
其封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性，确保在高功率条件下长时间可靠运行。此外，该晶体管具有高增益和低失真特性，能够提供高质量的信号放大，适合需要高线性度的应用场景。器件的工作温度范围广泛，从-65°C到+150°C，使其能够在各种环境条件下稳定运行。
PTVS40VS1UTR,115 还具有良好的耐用性和抗过载能力，能够在高功率驻波比（VSWR）条件下工作而不损坏。这种特性使其在移动通信基站、广播发射机和其他高可靠性系统中非常受欢迎。此外，该晶体管的封装设计便于安装和散热，提高了整体系统的热性能和效率。
该器件广泛应用于射频功率放大器模块、无线通信设备、基站、广播发射机、WiMAX和DVB-T系统等高频率、高功率领域。
PTVS40VS1UTR,115的替代型号包括PTVS40VS1S010和PTVS40VS1S010R,115。
