时间：2025/9/14 17:05:19
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PTVS3V3P1UTP,115 是由 NXP Semiconductors 生产的一款瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，专为保护敏感的电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和其他瞬态电压危害而设计。该器件采用小型 SOT23 封装，适用于需要高可靠性保护的便携式电子设备和通信设备。PTVS3V3P1UTP,115 提供双向保护，适合用于低压数据线和电源线的过电压保护。
类型：双向 TVS 二极管阵列
工作电压：3.3V
钳位电压：7.5V（最大）
峰值脉冲电流：10A（8/20μs）
功率耗散：300W
封装：SOT23
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
PTVS3V3P1UTP,115 的核心特性之一是其高效的瞬态电压抑制能力，能够在极短的时间内将电压钳制在安全水平，从而保护下游电路免受损坏。
该器件的双向保护结构使其适用于交流和直流信号线路的保护，特别适合用于 USB、HDMI、以太网等高速接口的 ESD 防护。
其低钳位电压确保在保护过程中不会对系统造成额外的应力，同时保持信号完整性。
此外，该器件具有低漏电流（通常小于 1μA），在正常工作条件下对系统功耗影响极小，适用于对功耗敏感的设计。
PTVS3V3P1UTP,115 的 SOT23 小型封装形式使其非常适合用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
该器件符合 IEC 61000-4-2 Level 4（±15kV 空气放电）等国际标准，适用于工业和消费类电子产品的电磁兼容性（EMC）设计。
PTVS3V3P1UTP,115 广泛应用于需要瞬态电压保护的各种电子系统中，特别是在高速数据接口和低压电源线路上的 ESD 保护。
典型应用包括 USB 2.0 和 USB 3.0 接口保护、HDMI、DisplayPort、LAN 和其他通信接口的信号线保护。
它也适用于智能手机、平板电脑、数码相机等便携设备的电源和数据线路保护。
由于其低电容特性（通常为 15pF），该器件对高速信号传输的影响极小，因此非常适合用于高速差分信号通道的保护。
此外，该器件也可用于工业控制系统、汽车电子模块和消费类电子产品的电磁干扰（EMI）和静电放电（ESD）防护。
PESD3V3T2EL,115; ESDA6V1W5B; SP3053BA0-L/TR
