类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
　　封装形式：SMD（表面贴装）
　　最大反向工作电压（VRWM）：36V
　　击穿电压（VBR）：40.0V 至 44.2V
　　峰值脉冲电流（IPP）：31.7A（8/20μs波形）
　　钳位电压（VC）：62.0V（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　储存温度范围：-55°C 至 150°C

PTVS36VS1UR115是一种高性能的瞬态电压抑制二极管，具有出色的保护能力。其主要特性包括快速响应时间，可以在瞬态事件发生时迅速反应，将电压钳制在安全范围内，以保护下游电路不受损害。该器件的低钳位电压确保了在瞬态期间，电路中的电压不会超过安全阈值，从而降低对敏感电子元件造成损坏的风险。此外，PTVS36VS1UR115具有较高的可靠性，能够在极端温度条件下稳定工作。它的SMD封装设计使其非常适合用于自动化装配流程，并且能够节省PCB空间，适用于高密度电路设计。
　　PTVS36VS1UR115还具备高能量吸收能力，能够在短时间内吸收大量瞬态能量，而不影响其性能或寿命。这种特性使其适用于多种工业和消费类电子设备的保护。此外，该TVS二极管具有双向保护能力，可以有效地抑制正负方向的瞬态电压，提供全面的电路保护解决方案。其结构设计优化了热管理和电气性能，使其在高应力条件下也能保持稳定。

PTVS36VS1UR115广泛应用于需要高可靠性保护的电子系统中。它通常用于通信设备、工业控制系统、消费类电子产品、汽车电子以及便携式设备中，以防止静电放电（ESD）和其他瞬态电压事件对敏感电路造成损坏。在通信设备中，它可以保护接口电路免受雷击和电缆放电的影响。在工业控制系统中，该TVS二极管可用于保护PLC、传感器和执行器接口。在消费类电子产品中，如智能手机和平板电脑，PTVS36VS1UR115可用于保护USB、HDMI等高速数据接口。此外，它还可用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、导航系统和车身控制模块，以确保这些系统在恶劣电气环境下的可靠运行。

PTVS36VS1UR115的替代型号包括PTVS45VS1UR115和PTVS30VS1UR115，它们具有相似的电气特性和封装形式，适用于不同的电压保护需求。