PTVS17VS1UR是一种高压、高速的瞬态电压抑制二极管(TVS),设计用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、感应雷击和其它瞬态过电压的损害。该器件采用了先进的硅雪崩技术,具有低电容特性,非常适合于高速信号线和数据接口的保护。
PTVS17VS1UR的单向结构使其适用于直流电源线路保护,并能在反向偏置状态下提供高阻抗,从而减少对正常电路运行的干扰。
工作电压:17V
峰值脉冲电流:38.6A
最大箝位电压:27.4V
结电容:20pF
响应时间:1ps
最大工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:SOD-123FL
PTVS17VS1UR具备以下显著特性:
1. 高浪涌能力:能够承受高达38.6A的峰值脉冲电流,确保在极端条件下仍能有效保护电路。
2. 快速响应时间:其响应时间仅为1皮秒,能够在瞬态事件发生时迅速动作,防止过电压损坏下游设备。
3. 低电容设计:20pF的结电容适合高速数据线路,减少了对信号完整性的干扰。
4. 广泛的工作温度范围:支持从-55℃到+175℃的环境温度,适应各种严苛的应用场景。
5. 小型化封装:采用SOD-123FL封装,节省了PCB空间并简化了安装过程。
PTVS17VS1UR广泛应用于各类电子设备中,包括但不限于:
1. 手机和其他便携式电子设备中的USB接口保护。
2. 工业自动化系统中的控制信号线防护。
3. 汽车电子系统的CAN/LIN总线保护。
4. 通信设备中的天线端口防护。
5. 医疗设备的数据传输线路保护。
6. 计算机外围设备的I/O端口防护。
PMS17UA, SMAJ17A, SMBJ17A