时间：2025/8/28 19:09:41
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PTQ035P02TR 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、低电压应用设计，广泛用于电池供电设备、负载开关、DC-DC 转换器以及电源管理系统中。该 MOSFET 采用小型化封装技术，适合空间受限的应用场景。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)），能够在低电压条件下提供高效的功率控制能力。
类型：P 沟道 MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：-20V
栅极-源极电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：-3.5A
导通电阻 Rds(on)：85mΩ @ Vgs = -4.5V；120mΩ @ Vgs = -2.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23
功率耗散（Pd）：1.5W
PTQ035P02TR 的关键特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。在 Vgs 为 -4.5V 时，其 Rds(on) 仅为 85mΩ，在更低的 -2.5V 栅极电压下也保持在 120mΩ 的合理水平。这种特性使其非常适合用于低电压、中等电流的应用，如手持设备中的电源开关和负载管理。
该器件采用 SOT-23 封装，具有小型化和轻量化的优势，适用于便携式电子设备。此外，它具有良好的热性能和较高的可靠性，能够适应各种工作环境。PTQ035P02TR 的栅极驱动电压范围较宽，支持从 -2.5V 到 -4.5V 的多种驱动条件，使其能够与多种控制器或逻辑电路兼容。
由于其 P 沟道结构，该 MOSFET 特别适用于高边开关应用，例如在电池供电系统中控制电源的通断。此外，其较低的栅极电荷（Qg）也有助于提高开关速度，降低开关损耗，提高系统效率。
PTQ035P02TR 主要应用于需要高效能、小尺寸功率管理的场合。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中的电源开关和负载控制。此外，它还可用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电池充电管理电路、LED 背光驱动以及各种低电压电源管理系统。
由于其低导通电阻和良好的热性能，PTQ035P02TR 也适用于需要较高效率的电源转换模块，例如在 USB PD 电源适配器、无线充电器和低功耗工业控制系统中。其 SOT-23 小型封装特别适合空间受限的设计，同时保持了较高的功率处理能力。
Si2302DS, FDN340P, DMG2305UX, AO3401A
