PTPM754DB是一款高性能的N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其出色的开关特性和热性能使其成为高效能电源管理的理想选择。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:48A
导通电阻:1.9mΩ
栅极电荷:85nC
开关速度:快速
封装形式:TO-263
PTPM754DB拥有非常低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外,其快速的开关速度和较低的栅极电荷可显著降低开关损耗。该器件还具备出色的雪崩能力和热稳定性,确保在恶劣环境下的可靠运行。
PTPM754DB的设计注重散热性能,能够有效管理高功率应用中的热量积聚问题。它支持脉宽调制(PWM)以及其他高频开关模式,适合于要求苛刻的工业与汽车级应用环境。
该芯片广泛应用于DC-DC转换器、电机控制电路、负载开关、电池保护电路以及各种需要大电流和高效率的功率管理系统中。同时,它也常用于逆变器设计和太阳能微逆变器等新能源相关领域。由于其卓越的性能表现,PTPM754DB特别适合对能耗敏感的应用场景。
IRF740,
STP75NF06,
FDP75N06L,
IXYS: IXFR75N06T2