时间：2025/6/4 20:59:44
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PTPM754DB是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其出色的开关特性和热性能使其成为高效能电源管理的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.9mΩ
栅极电荷：85nC
开关速度：快速
封装形式：TO-263
PTPM754DB拥有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外，其快速的开关速度和较低的栅极电荷可显著降低开关损耗。该器件还具备出色的雪崩能力和热稳定性，确保在恶劣环境下的可靠运行。
PTPM754DB的设计注重散热性能，能够有效管理高功率应用中的热量积聚问题。它支持脉宽调制（PWM）以及其他高频开关模式，适合于要求苛刻的工业与汽车级应用环境。
该芯片广泛应用于DC-DC转换器、电机控制电路、负载开关、电池保护电路以及各种需要大电流和高效率的功率管理系统中。同时，它也常用于逆变器设计和太阳能微逆变器等新能源相关领域。由于其卓越的性能表现，PTPM754DB特别适合对能耗敏感的应用场景。
IRF740,
STP75NF06,
FDP75N06L,
IXYS: IXFR75N06T2
