型号：PTN1111BD
　　制造商：Power Integrations
　　产品类型：离线式开关电源控制器
　　拓扑结构：反激式
　　控制模式：准谐振（QR）
　　集成功率开关：是
　　功率开关类型：MOSFET
　　最大额定电压：725V
　　启动电流：<10μA
　　工作电源电流：<3mA
　　待机功耗：<30mW
　　输出功率范围：最高约10W
　　输入电压范围（AC）：85–265VAC
　　输入电压范围（DC）：120–375VDC
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：DIP-8C

PTN1111BD具备先进的多模式准谐振（Quasi-Resonant, QR）控制技术，能够在轻载、中载和满载条件下智能切换工作模式，以最大化整体能效。在重载时，芯片进入连续导通模式（CCM）或边界导通模式（BCM），利用谷底开关技术在MOSFET漏源电压最低点进行导通，显著降低开关损耗，提升转换效率。在中等负载下，系统运行于准谐振模式，进一步优化能效表现；而在轻载或空载状态下，芯片自动切换至突发模式（Burst Mode），大幅降低开关频率和驱动损耗，从而实现极低的待机功耗，通常可低于30mW，符合全球最严格的能源效率标准，如Energy Star、DoE Level VI和EuP Lot 6等。
　　该芯片内置一个725V耐压的功率MOSFET，使其能够承受高压瞬态冲击，适用于宽范围交流输入（85–265VAC）的通用电源设计。这一高耐压能力不仅提高了系统的可靠性，还增强了对雷击、浪涌等恶劣电网环境的适应性。此外，芯片集成了一个高压电流源，用于启动阶段为内部电路供电，启动电流低于10μA，有效缩短启动时间并减少启动电阻的功耗。
　　PTN1111BD还集成了全面的保护机制。例如，过温保护（OTP）会在芯片温度超过设定阈值时关闭输出，防止热损坏；过压保护（OVP）监测反馈信号，防止输出电压过高；过载保护（OLP）可在输出持续过载时进入打嗝模式，限制能量输出并尝试自动恢复。所有这些保护功能均具有自动重启特性，提升了系统的安全性和用户体验。
　　为了满足EMI法规要求，PTN1111BD采用了频率抖动（Frequency Jittering）技术，将开关频率在一定范围内随机调制，分散能量频谱，有效降低传导和辐射EMI峰值，从而减少对外部EMI滤波元件的需求，节省成本和PCB空间。其DIP-8C封装形式支持通孔安装，便于散热和生产组装，同时提供良好的电气隔离性能。

PTN1111BD主要应用于需要小尺寸、高效率和高可靠性的低功率隔离式开关电源设计中。典型应用场景包括手机充电器、USB电源适配器、无线路由器电源、智能插座、智能家居传感器供电模块、小型家电控制板电源、工业传感器和PLC辅助电源等。由于其无需光耦和TL431即可实现稳定的输出电压调节，特别适合构建成本敏感且对空间有严格要求的初级侧反馈（Primary-Side Regulation, PSR）反激电源系统。
　　在消费电子领域，PTN1111BD被广泛用于制造符合国际能效标准的绿色电源产品，例如符合DoE Level VI和CEC Title 20规范的小功率适配器。其低待机功耗特性使其成为物联网设备理想的选择，因为这类设备通常长时间处于待机状态，对能耗极为敏感。此外，该芯片也适用于LED照明驱动电源，尤其是低功率LED灯泡或面板灯，能够提供恒定的输出电流和良好的调光兼容性。
　　在工业和医疗辅助设备中，PTN1111BD可用于为控制电路、通信接口或传感器模块提供隔离电源。其内置多重保护功能确保了在复杂电磁环境或电网波动情况下的稳定运行。对于需要UL/IEC/EN安全认证的设计，该芯片配合适当的外围电路可轻松满足安规要求，缩短产品上市周期。由于其高度集成化和简化的外围设计，工程师可以快速完成原型开发和批量生产，显著降低研发成本和时间。

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