PTH05000WAH是一种高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
该器件为N沟道增强型MOSFET,其设计旨在满足高电流应用需求,同时保持较低的功耗。PTH05000WAH还具备出色的热性能,使其能够在严苛的工作条件下稳定运行。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:94A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:76nC
输入电容:3080pF
工作温度范围:-55℃至175℃
PTH05000WAH的主要特性包括超低的导通电阻,这使得它在大电流应用中表现出色,并能有效降低导通损耗。
此外,该器件具有极低的栅极电荷,从而实现更快的开关速度,减少开关损耗。
其封装形式也经过优化,具备良好的散热能力,适合高功率密度的设计需求。
该器件的高雪崩能量能力和稳健的短路耐受能力进一步增强了其可靠性,适用于各种工业和汽车级应用场景。
PTH05000WAH广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关
2. DC-DC转换器的核心元件
3. 电机驱动电路中的功率输出级
4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关
5. 工业自动化设备中的负载控制
其强大的性能和可靠性使其成为上述应用的理想选择。
IRF540N
STP55NF06
FDP5500
IXFK90N06T2