PTFZ-08-E 时间：2025/12/27 0:58:17 阅读：11

PTFZ-08-E是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装（SMD）瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），专为高速数据线和电源线路的静电放电（ESD）保护而设计。该器件采用先进的硅结技术制造，具备快速响应时间和低钳位电压，能够在极短时间内将瞬态过电压引导至地，从而有效保护后级敏感电子元件免受损害。PTFZ-08-E属于双向TVS二极管，适用于交流或双向信号线路的保护，广泛应用于便携式消费类电子产品、通信设备和工业控制系统中。
　　该器件封装在微型SOD-123FL封装中，具有极小的占板面积和低高度，非常适合空间受限的高密度PCB布局。其无铅（Pb-free）结构符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子制造对环保与可靠性的双重要求。PTFZ-08-E的工作温度范围为-55°C至+150°C，适合在严苛环境条件下稳定运行。

参数

类型：双向TVS二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　反向关断电压（VRWM）：8V
　　击穿电压（VBR）：9V @ 1mA
　　最大钳位电压（VC）：14.5V @ 6.1A
　　峰值脉冲电流（IPP）：6.1A
　　峰值脉冲功率（PPPM）：100W
　　响应时间：小于1ps
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　结温（Tj）：+150°C
　　通道数：单通道

特性

PTFZ-08-E具备卓越的瞬态抑制能力，可在纳秒级时间内响应ESD事件，典型响应时间小于1皮秒，确保在静电放电发生时迅速导通并将能量泄放到地，避免对下游电路造成损伤。其低动态电阻特性使其在大电流冲击下仍能维持较低的钳位电压，有效降低被保护节点上的残余电压，提高系统可靠性。该器件的双向结构允许其用于正负极性瞬变电压的防护，特别适用于如USB数据线、音频接口等可能存在反向电压波动的应用场景。
　　采用SOD-123FL封装，PTFZ-08-E不仅体积小巧（典型尺寸为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），还优化了热性能和电气性能，提升了散热效率和长期工作的稳定性。该封装支持自动化贴片生产，便于大规模SMT组装，提升制造效率。此外，器件具有高循环耐久性，可承受IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电，±15kV空气放电）标准规定的多次ESD冲击而不发生性能退化。
　　PTFZ-08-E的反向漏电流极低，在正常工作状态下通常小于1μA，不会对系统功耗造成显著影响，适用于电池供电的移动设备。其稳定的电气特性和宽泛的工作温度范围也使其适用于工业级和汽车级外围接口保护。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、镉、六价铬等有害物质，符合现代绿色电子产品的设计趋势。

应用

主要用于便携式电子设备中的高速数据接口ESD保护，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的USB 2.0、HDMI、DisplayPort、音频插孔和触摸屏控制器等。也可用于笔记本电脑、数码相机和POS终端等消费类电子产品中各类I/O端口的浪涌防护。在通信模块中，可用于以太网PHY接口、RS-232/RS-485收发器的辅助保护。此外，适用于工业传感器信号线、低压电源轨（如3.3V或5V）的瞬态抑制，以及汽车电子中非动力系统的辅助电子设备接口保护。其小型化特性使其成为高密度PCB设计的理想选择。