时间：2025/8/11 18:11:41
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PTFA092213EL 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理等。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。PTFA092213EL 采用 8 引脚 PowerFLAT 封装，便于散热和安装。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流（ID）：9A
漏极-源极电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：PowerFLAT 5x6-8
PTFA092213EL 具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为 22mΩ，当栅极电压为 10V 时，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。这对于需要高功率密度和高效率的电源转换器尤为重要。
其次，该 MOSFET 支持高达 9A 的连续漏极电流，适用于中高功率应用。漏极-源极电压最大耐受值为 30V，能够在多种电源拓扑中稳定运行，包括同步整流、Buck 和 Boost 转换器等。
此外，PTFA092213EL 采用先进的沟槽栅极结构，优化了开关性能，降低了开关损耗。其快速开关能力有助于提高系统的动态响应和效率，尤其适用于高频开关电源设计。
该器件还具有良好的热稳定性，采用 PowerFLAT 5x6-8 封装，具备良好的热传导性能，可有效将热量传递至 PCB，提高整体散热效率。这种封装形式也便于自动化贴装，适用于现代 SMT（表面贴装技术）生产线。
最后，PTFA092213EL 的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容标准的 10V 和 12V 栅极驱动器，方便集成到各类控制电路中。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种严苛的工业和汽车电子环境。
PTFA092213EL 广泛应用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效率、高可靠性和紧凑设计的场合。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电源管理系统、电池充电器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的导通和开关性能，该 MOSFET 特别适合用于高频率开关电源设计，以提升整体系统效率并减小功率模块的体积。此外，它也适用于汽车电子系统中的各种功率管理应用，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）等。
Si9410BDY-T1-GE3, FDS6680, IPD90N03S4-03
