时间：2025/4/30 9:33:41
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PTEA404120 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种需要高效功率转换的应用场景。其出色的热性能和电气特性使其成为许多高功率应用的理想选择，包括开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等。
型号：PTEA404120
封装：TO-263
Vds（漏源电压）：40V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.2mΩ
Id（连续漏极电流）：120A
Bvdss（漏源击穿电压）：40V
输入电容：1980pF
最大功耗：225W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷：39nC
PTEA404120 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可降低导通损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，有助于减少开关损耗。
3. 高额定电流能力，能够承受高达 120A 的连续漏极电流。
4. 出色的热稳定性，适合在高温环境下使用。
5. 紧凑的 TO-263 封装设计，便于安装和散热。
6. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，确保在极端条件下仍能稳定运行。
7. 高可靠性设计，适用于要求苛刻的工业和汽车应用。
PTEA404120 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. DC-DC 转换器及逆变器。
4. 工业自动化设备中的功率管理。
5. 电动车和混合动力车中的电池管理系统。
6. 大功率 LED 驱动电路。
7. 各类负载开关和保护电路。
这款 MOSFET 的高电流承载能力和快速开关性能使其成为上述应用的理想选择。
IRFZ44N
STP120NF4L
INFINEON IPW120N04T3
