PTD08A210W是一种高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
PTD08A210W的设计旨在满足现代电子设备对高效能功率管理的需求,其出色的电气性能使其成为工业控制、消费电子和通信领域的理想选择。
型号:PTD08A210W
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压(Vds):100V
栅源极电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):8A
导通电阻(Rds(on)):210mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗(Ptot):45W
结温范围(Tj):-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-220
PTD08A210W具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,在工作时可以有效减少功率损耗,提高系统效率。
2. 高击穿电压设计确保了在高压环境下的稳定运行,适合多种应用场景。
3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并提升动态响应能力。
4. 具备较高的浪涌电流能力,可承受短时间内较大的电流冲击。
5. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
PTD08A210W适用于广泛的电子电路设计领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压控制。
3. 电机驱动电路中用于控制直流电机的速度和方向。
4. 各类负载开关应用,例如USB充电器和便携式设备。
5. 过流保护和短路保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
IRFZ44N
STP8NK60Z
FQP17N10
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