时间：2025/12/24 2:04:54
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PTB48560B是一种高性能的N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力的特点，适合应用于各种开关电源、电机驱动、负载开关等场景中。PTB48560B在设计上注重效率和散热性能，使其能够适应较为严苛的工作环境。
型号：PTB48560B
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-220
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.3mΩ
ID（持续漏极电流）：117A
fT（特征频率）：1.8MHz
Qg（栅极电荷）：11nC
VGS(th)（栅源开启电压）：2.1V
Tj（工作结温范围）：-55℃至+150℃
PTB48560B的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，仅为4.3mΩ，从而显著降低功率损耗。
2. 高持续漏极电流ID达117A，使其适用于大电流应用场景。
3. 快速开关速度，特征频率fT高达1.8MHz，支持高频开关应用。
4. 栅极电荷Qg仅为11nC，降低了开关损耗。
5. 支持较宽的工作温度范围，从-55℃到+150℃，保证了其在极端条件下的可靠性。
6. TO-220封装形式提供良好的散热性能，易于集成到现有设计中。
PTB48560B广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(Switch Mode Power Supply, SMPS)中的主开关管。
2. 各种直流电机驱动器和电子负载控制电路。
3. 负载切换和保护电路中的高速开关元件。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 大功率LED驱动器中的关键功率转换组件。
6. 汽车电子系统中的高可靠性功率管理单元。
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