类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：18A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：150W

PT968-6C 的核心特性之一是其出色的导通性能，低RDS(on)值可以显著降低导通损耗，从而提高系统的整体效率。该器件在高电压环境下表现稳定，适用于高达600V的高压电路设计。
　　此外，PT968-6C 具有较强的热稳定性和耐久性，能够在高功率密度的条件下长时间运行，适用于工业自动化、电力电子变换器、LED照明驱动以及变频家电等应用领域。
　　其TO-247封装形式不仅有助于提高散热效率，还能在PCB布局中提供良好的电气隔离和机械支撑，增强系统的可靠性和安全性。
　　PT968-6C 还具备良好的开关特性，能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗，这对于高频开关电源和逆变器应用尤为重要。同时，其栅极驱动电压范围宽泛（±20V），便于与各种驱动电路配合使用，提高了设计的灵活性。

PT968-6C 被广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）模块、DC-AC逆变器、电机控制驱动器、工业自动化设备、UPS不间断电源系统、LED照明驱动电源以及家用电器中的变频控制系统。
　　在开关电源设计中，PT968-6C 可作为主功率开关器件，负责高效地切换电流路径，从而实现高效的能量转换。
　　在PFC电路中，PT968-6C 可用于提升系统的功率因数，减少谐波失真，满足国际能效标准的要求。
　　在逆变器应用中，该器件可用于将直流电转换为交流电，广泛应用于太阳能逆变器、UPS系统以及电动车充电器中。
　　此外，PT968-6C 也常用于电机控制电路中，作为H桥结构中的关键开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。

IXFH18N60P、STP18N60DM2、FQA18N60C、FGA18N60SNDG