类型：碳化硅 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　连续漏极电流（ID）：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（典型值）
　　栅极电压范围：-5V 至 +20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　最大功耗：320W
　　短路耐受能力：典型值 10μs @ 150°C
　　栅极电荷（Qg）：150nC（典型值）

PT5110E89C-28 具有卓越的导通和开关性能。其低导通电阻（28mΩ）有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。由于采用了碳化硅材料，该器件在高频开关应用中表现出色，能够显著减少开关损耗，从而实现更高的开关频率和更小的磁性元件尺寸。此外，碳化硅技术还赋予该器件更高的热导率和更好的热稳定性，使其在高温环境下依然能够稳定运行。
　　该器件具备良好的短路耐受能力，在 150°C 工作温度下可承受典型值 10μs 的短路电流，提升了系统的可靠性和安全性。其栅极驱动电压范围较宽（-5V 至 +20V），兼容常见的栅极驱动电路，简化了驱动电路的设计复杂度。TO-247 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还确保了器件在高功率应用中的稳定性和耐用性。

PT5110E89C-28 主要用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。常见的应用包括工业电源、服务器电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电器、车载充电系统（OBC）以及电机驱动系统。由于其优异的高频开关性能和高温稳定性，该器件特别适用于要求紧凑设计和高可靠性的新能源汽车和可再生能源系统。

Cree / Wolfspeed 的 C3M0065090D 和 STMicroelectronics 的 SCTW120N65G2AGMP