类型：N沟道功率MOSFET
　　漏极电流（ID）：连续工作电流可达20A
　　漏源电压（VDS）：最大60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为25mΩ
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

PT282具备多项优异的电气和热性能，使其在多种高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高整体系统的效率，这对于电源转换器和电机驱动器尤为重要。
　　其次，PT282的高漏源击穿电压（60V）使其适用于中高功率的DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。栅源电压耐受能力达到±20V，提供了良好的驱动兼容性，能够与多种驱动IC或控制器配合使用。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适用于对散热有一定挑战的应用场景。TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，以增强热管理能力。
　　PT282的快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。这使得它在高频开关电源、PWM控制电路以及功率放大器中具有广泛应用前景。

PT282广泛应用于多个工业和消费类电子产品中，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等，提高能效并减小体积。
　　2. 电机驱动器：在直流无刷电机、步进电机驱动电路中作为主功率开关使用。
　　3. 负载开关：用于控制高电流负载的开启与关闭，如LED照明、加热元件等。
　　4. 电池管理系统：用于充放电控制、过流保护等功能。
　　5. 工业自动化设备：在PLC、伺服驱动器等设备中作为功率输出器件使用。

IRFZ44N, FDP282, STP282, IRLZ44N