PST9220NR是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于需要高效功率转换和开关的应用场景。这款器件通常用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块以及电机驱动等应用中。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):135A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):180W
结温范围(Tj):-55℃至+175℃
PST9220NR具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,可以有效降低功率损耗。
2. 高电流处理能力,适合大功率应用场景。
3. 快速开关性能,能够支持高频工作环境。
4. 热稳定性好,可在较宽的温度范围内正常运行。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
6. 小型封装设计,节省PCB空间。
该器件适用于多种电子领域,包括但不限于以下应用:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 负载开关及保护电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的电流路径控制。
5. 工业自动化设备中的电机驱动与控制。
6. 汽车电子系统中的高边或低边开关。
IRFZ44N, STP130N06LLH