PST9127NR 时间：2025/12/23 17:09:06 阅读：17

PST9127NR是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263-3封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC/DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
　　这款MOSFET的设计重点在于提供高效的电力传输，并且能够在高频条件下工作，适合需要低功耗和高效率的应用场合。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：48A
　　导通电阻（典型值）：3.5mΩ
　　栅极-源极电压：±20V
　　总功耗：170W
　　工作温度范围：-55℃ to 150℃

特性

PST9127NR具备以下特点：
　　1. 极低的导通电阻，能够减少传导损耗，从而提升整体系统效率。
　　2. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
　　3. 快速开关速度，有助于提高工作效率并降低开关损耗。
　　4. 符合RoHS标准，确保环保性能。
　　5. 热稳定性强，在高温环境下仍能保持良好的性能表现。
　　6. TO-263-3封装提供了优秀的散热性能，适合大功率应用环境。

应用

PST9127NR适用于多种电力电子领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)，包括AC/DC适配器和充电器。
　　2. 各类DC/DC转换器设计，如降压或升压拓扑。
　　3. 电机控制与驱动电路，尤其是高电流电机应用。
　　4. 负载开关和保护电路，例如过流保护。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 汽车电子系统中的电源管理部分，尽管需确认具体汽车级认证情况。