时间：2025/7/4 3:48:50
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PST8246UR是一款高性能的N通道MOSFET功率晶体管，专为需要低导通电阻和高效率的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的开关特性和较低的导通损耗，适用于各种电源管理应用。PST8246UR采用了TO-252封装形式，能够有效提高散热性能，同时减少安装空间。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：9.8A
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：17nC（典型值）
开关时间：开通延迟时间：9ns（典型值），关断传播时间：12ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
PST8246UR具有低导通电阻，可以显著降低功率损耗，提升系统效率。
其快速的开关速度使得它非常适合高频开关应用，例如DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
由于采用了改进的封装技术，该器件具备良好的热性能和电气稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。
此外，PST8246UR还具有较强的雪崩能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
PST8246UR广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流功能。
2. 便携式设备中的负载开关和电池保护电路。
3. 高效DC-DC转换器的设计。
4. 小型电机驱动和电磁阀控制。
5. 其他需要低功耗、快速响应的功率管理场合。
IRLZ44N, AO3400A, FDN340P
