时间：2025/6/29 7:45:28
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PST809A280NR是一款高性能的N沟道功率MOSFET，基于先进的半导体制造工艺设计。该器件主要应用于高效率、高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景中。它具有较低的导通电阻和优异的开关性能，从而能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：6.5A
导通电阻（典型值）：28mΩ
栅极电荷：23nC
输入电容：1070pF
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃至150℃
PST809A280NR具备以下特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 快速的开关速度，适用于高频应用场合。
3. 高度稳定的动态和静态参数，在各种工况下表现一致。
4. 优化的热性能，支持高效的散热管理。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 小型化封装，适合空间受限的设计需求。
这款功率MOSFET广泛用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级控制。
5. 各类保护电路，例如过流保护和短路保护。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF840, STP80NF10L, FDP8880
