时间：2025/5/8 20:13:29
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PST574IMT是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用。该器件采用TO-263封装形式，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功率损耗并提升系统性能。
该MOSFET主要针对汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中的功率管理需求而设计，具备出色的耐用性和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：39nC（典型值）
输入电容：1600pF（典型值）
总功耗：125W
工作结温范围：-55℃至+175℃
PST574IMT具有以下特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，适合现代高效电源设计。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准，绿色环保。
5. 可靠的热性能，确保在高温环境下的稳定运行。
6. 适用于严苛环境的高耐压能力，保障系统的长期稳定性。
PST574IMT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)和适配器。
2. 汽车电子系统，如电机驱动和电池管理。
3. DC-DC转换器和同步整流电路。
4. 工业自动化设备中的功率开关。
5. 大功率LED驱动器。
6. 各种负载开关和保护电路。
PST574NMT, IRF540N, FDP17N60C
