PST572HMT是一种高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效能和低导通电阻的场景。该器件采用TO-263封装,能够提供出色的电流处理能力和耐热性能。PST572HMT通常被用作开关元件或负载驱动器,在电源管理、电机控制和其他电力电子应用中表现出色。
其设计优化了Rds(on)特性,在高频开关条件下能够显著降低功耗,并且具备较低的栅极电荷和输出电容,从而提高了整体效率。此外,它还支持多种保护功能,如过流保护和短路保护等,以确保在极端工作条件下的可靠性。
最大漏源电压(Vdss):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A
脉冲漏极电流(Ip):100A
导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ (典型值,Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):35nC
总电容(Ciss):2490pF
漏源极电荷(Qrr):21nC
结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 采用先进的制造工艺,确保更高的可靠性和一致性。
3. 快速开关速度,适合高频应用。
4. 具备优秀的热稳定性和散热性能,适用于高功率密度设计。
5. TO-263封装形式便于安装和维护,同时提供良好的电气连接性。
6. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
7. 内置ESD保护机制,增强了器件的抗静电能力。
8. 符合RoHS标准,环保且安全。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC/DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 电池充电管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子领域,例如电动座椅、雨刷系统及LED照明驱动等。
7. UPS不间断电源以及太阳能逆变器的核心组件。
IRLZ44N, AO3400A, FDN340P