PST572EMT 时间：2025/7/9 0:55:22 阅读：9

PST572EMT 是一款 N 沟道功率 MOSFET，专为高效率和高性能应用设计。它采用 TO-263 封装形式，具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性，适用于多种电力电子场景。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场合。
　　该 MOSFET 的特点是优化了动态性能和静态性能之间的平衡，使其在高频开关应用中表现出色。同时，其坚固的设计确保了在严苛工作环境下的可靠性和稳定性。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：14A
　　导通电阻：2.5mΩ
　　总功耗：85W
　　结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

PST572EMT 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，可减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关速度，适合高频应用，降低了开关损耗。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
　　4. 内置反向二极管，支持续流功能，简化电路设计。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
　　6. 支持表面贴装技术 (SMD)，便于自动化生产和组装。
　　这些特性使得 PST572EMT 成为众多高功率密度应用的理想选择。

应用

PST572EMT 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
　　3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　4. 汽车电子系统中的负载切换和控制。
　　5. 工业设备中的功率管理模块。
　　由于其出色的性能和可靠性，PST572EMT 在消费类电子产品、工业设备以及汽车领域都有广泛应用。