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PST572EMT 发布时间 时间:2025/7/9 0:55:22 查看 阅读:9

PST572EMT 是一款 N 沟道功率 MOSFET,专为高效率和高性能应用设计。它采用 TO-263 封装形式,具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性,适用于多种电力电子场景。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场合。
  该 MOSFET 的特点是优化了动态性能和静态性能之间的平衡,使其在高频开关应用中表现出色。同时,其坚固的设计确保了在严苛工作环境下的可靠性和稳定性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻:2.5mΩ
  总功耗:85W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

PST572EMT 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用,降低了开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 内置反向二极管,支持续流功能,简化电路设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
  6. 支持表面贴装技术 (SMD),便于自动化生产和组装。
  这些特性使得 PST572EMT 成为众多高功率密度应用的理想选择。

应用

PST572EMT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和控制。
  5. 工业设备中的功率管理模块。
  由于其出色的性能和可靠性,PST572EMT 在消费类电子产品、工业设备以及汽车领域都有广泛应用。

替代型号

PST572E6, IRF540N, FDP5720

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