PST572EMT 是一款 N 沟道功率 MOSFET,专为高效率和高性能应用设计。它采用 TO-263 封装形式,具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性,适用于多种电力电子场景。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场合。
该 MOSFET 的特点是优化了动态性能和静态性能之间的平衡,使其在高频开关应用中表现出色。同时,其坚固的设计确保了在严苛工作环境下的可靠性和稳定性。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:14A
导通电阻:2.5mΩ
总功耗:85W
结温范围:-55℃ 至 +175℃
PST572EMT 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用,降低了开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 内置反向二极管,支持续流功能,简化电路设计。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
6. 支持表面贴装技术 (SMD),便于自动化生产和组装。
这些特性使得 PST572EMT 成为众多高功率密度应用的理想选择。
PST572EMT 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 汽车电子系统中的负载切换和控制。
5. 工业设备中的功率管理模块。
由于其出色的性能和可靠性,PST572EMT 在消费类电子产品、工业设备以及汽车领域都有广泛应用。
PST572E6, IRF540N, FDP5720