PST3229NR 时间：2025/6/28 12:50:02 阅读：7

PST3229NR是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其设计适用于各种需要高效能和低功耗的应用场景，例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等。
　　该器件的封装形式通常为TO-252(DPAK)，具有良好的散热特性和紧凑的外形，适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：16A
　　导通电阻：18mΩ（典型值）
　　栅极电荷：17nC（典型值）
　　输入电容：1250pF（典型值）
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

PST3229NR具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 高速开关能力，支持高频应用，从而减小外部元件体积。
　　3. 强大的雪崩能力和鲁棒性，增强了器件在异常条件下的可靠性。
　　4. 小型化封装设计，简化了PCB布局并节省空间。
　　5. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子设备的严格要求。
　　6. 宽泛的工作温度范围，确保在恶劣环境下依然稳定运行。

应用

PST3229NR广泛应用于多种领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
　　2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
　　3. 电池保护电路，用于防止过流或短路。
　　4. 各类电机驱动应用，包括步进电机、直流无刷电机等。
　　5. 负载开关和保护电路，提供精确的电流控制。
　　6. 其他需要高性能功率开关的场合，如汽车电子、工业控制和消费类电子产品。