类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：170 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：680 A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：1.2 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：1.7 mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型值2.4 V，范围2.0~3.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值10200 pF
　　输出电容（Coss）：典型值2900 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值24 ns
　　最大工作结温（Tj）：175 °C
　　封装类型：PowerSSO-36 (PowerFLAT 5x6)
　　安装方式：表面贴装
　　导通延迟时间（td(on)）：典型值12 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值35 ns

PSS35NC1FT具备出色的导通性能和开关特性，其关键优势之一是极低的导通电阻，在VGS = 10 V条件下，RDS(on)最大仅为1.2 mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。这种低RDS(on)得益于ST先进的沟槽栅垂直DMOS技术，使得单位面积内可集成更多的并联单元，从而实现大电流处理能力的同时保持小型化封装。
　　该器件能够承受高达170 A的连续漏极电流（在25°C下），并且支持高达680 A的脉冲电流，适用于需要瞬时大电流输出的应用场景，例如电机启动或电池放电控制。同时，其封装设计优化了热传导路径，使芯片结到PCB之间的热阻（Rth(j-tab)）非常低，有助于热量快速散发，防止局部过热导致的性能下降或损坏。
　　PSS35NC1FT具有良好的栅极驱动兼容性，可在+4.5 V至+10 V的栅极电压下稳定工作，适用于现代低电压逻辑控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路。其输入电容约为10.2 nF，虽然相对较高，但在高频开关应用中仍能保持可控的驱动功耗。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力和坚固的结构设计，能够在瞬态过压和短路情况下维持可靠性。
　　由于采用了PowerSSO-36封装，PSS35NC1FT实现了引脚功能分离（Kelvin Source设计），将信号源极与功率源极分开，有效减少了共源电感对开关性能的影响，提升了高速开关下的稳定性。这一特性特别有利于同步整流、多相降压变换器等对开关噪声敏感的应用。
　　值得一提的是，该器件通过AEC-Q101认证，表明其满足汽车电子应用中严格的温度循环、湿度、机械冲击和寿命测试要求，因此可广泛应用于车载信息娱乐系统、电动助力转向（EPS）、车身控制模块和车载充电器等领域。其宽泛的工作结温范围（最高可达175°C）也增强了在高温环境下的运行安全性。

PSS35NC1FT广泛应用于需要高效、大电流开关能力的电力电子系统中。典型应用包括大功率DC-DC降压变换器，尤其是在服务器电源、通信基站和工业电源中作为同步整流或主开关使用；在电机驱动领域，该器件可用于直流无刷电机或步进电机的H桥驱动电路，凭借其低导通电阻和高电流能力，有效降低发热并提高扭矩输出效率；在汽车电子方面，常用于车载电源分配系统、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关、LED照明驱动以及电动窗、座椅调节等执行机构的功率控制；此外，该器件还适用于热插拔控制器、冗余电源切换、超级电容充放电管理等高可靠性系统；由于其封装紧凑且散热良好，也可用于空间受限但功率密度要求高的便携式设备电源模块或高端计算设备的VRM（电压调节模块）设计中。

IPB036N04LC G
　　SPD30N04S4L-03
　　SQJQ350EL
　　PSMN036R04QL