PSP0C0BA43RQ1 时间：2025/8/10 17:56:30 阅读：7

PSP0C0BA43RQ1是一款由Rohm（罗姆）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率和高功率密度的电子设备中，例如电源转换器、电机驱动器和电池管理系统等。这款MOSFET采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性等特点，能够有效减少功率损耗并提高系统可靠性。

参数

类型：功率MOSFET
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：150A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.9mΩ（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：双排封装（DFN）
　　引脚数：8
　　安装类型：表面贴装
　　热阻（Rth）：0.45°C/W
　　最大功耗：120W

特性

PSP0C0BA43RQ1具有多项优异的电气和物理特性，使其适用于各种高性能功率管理应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备高耐压能力，能够承受高达40V的漏源电压，适用于多种电压等级的应用场景。此外，PSP0C0BA43RQ1采用先进的DFN封装技术，具备良好的热管理和散热性能，确保在高负载条件下依然能够稳定运行。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持±20V，从而提高了设计灵活性和系统兼容性。同时，其宽工作温度范围（-55°C至175°C）使得该器件适用于各种严苛环境下的应用，如汽车电子和工业控制领域。
　　在可靠性方面，PSP0C0BA43RQ1经过严格的质量测试和认证，确保在长时间运行中保持稳定的电气性能。其高抗冲击和抗振动能力也使其适用于移动设备和车载系统。此外，该MOSFET的封装设计优化了电流分布，降低了寄生电感效应，有助于减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。这些特性共同确保了PSP0C0BA43RQ1在高功率密度和高可靠性要求的应用中表现出色。

应用

PSP0C0BA43RQ1广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理模块（如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器）、电机控制（如无刷直流电机驱动、电动工具）、电池管理系统（如锂离子电池保护电路、储能系统）、汽车电子（如车载充电器、起停系统）以及工业自动化设备（如伺服驱动器、变频器）。此外，该器件也可用于高功率LED照明系统、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等高效能应用中。