类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：110A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　安装类型：表面贴装（SMD）

PSP0B03573RQ6具备低导通电阻，使其在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽结构设计，提升了单位面积的载流能力，确保在高功率应用中的稳定性和可靠性。
　　此外，该器件具有优异的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。其高栅极氧化层耐用性允许承受高达±20V的栅极电压，增强了抗干扰能力和使用寿命。
　　在封装方面，PSP0B03573RQ6使用PowerFLAT 5x6封装，具备优良的散热性能和较小的PCB占用空间，适合高密度电源设计。其无铅（RoHS合规）制造工艺也符合现代环保标准。
　　该MOSFET具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高电源转换效率。其低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）特性，使其在高频开关应用中表现出色。

PSP0B03573RQ6广泛应用于各类高性能电源系统，如同步整流DC-DC转换器、服务器电源、电池管理系统、电机驱动器、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高电流承载能力和低导通损耗特性，也使其成为新能源汽车、储能系统和通信电源中的理想选择。

PSP0B03573RQ6的替代型号包括STMU35N3LLF和STL35N3LLH5。这些型号在电气性能、封装尺寸和应用场景方面具有较高的兼容性，可在设计中作为备选使用。