时间：2025/8/9 5:46:48
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PSND150E/04 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），专为高功率应用设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点，适用于工业电机控制、电源转换、变频器和可再生能源系统等领域。PSND150E/04 具有较高的电流承载能力和较低的导通损耗，适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：1500V
最大集电极电流（IC）：75A
最大工作温度：150°C
短路耐受能力：6μs
封装类型：TO-247
导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值）
输入电容（Cies）：约3800pF
输出电容（Coes）：约680pF
反向恢复时间（trr）：约1.2μs
PSND150E/04 IGBT 具有优异的电气特性和热稳定性。其高击穿电压（VCES）达到1500V，使其适用于高电压工作环境，具有更强的抗电压冲击能力。该器件的最大集电极电流为75A，能够在高负载条件下稳定运行。此外，PSND150E/04 的导通压降较低，典型值为2.1V，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
该IGBT具有良好的短路耐受能力，最大可达6μs，确保在突发短路情况下仍能维持稳定运行。PSND150E/04 采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适用于各种高功率应用。此外，该器件的输入电容较高（约3800pF），适合用于高频开关应用，同时具备较快的反向恢复时间（trr约为1.2μs），有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。
PSND150E/04 主要应用于高功率电子设备中，如工业变频器、电机驱动器、电源转换系统、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电焊机等。其高电压和高电流特性使其成为工业自动化和电力电子系统中的理想选择。在电机控制应用中，PSND150E/04 可以提供高效的功率转换，提升系统的整体性能和稳定性。在可再生能源领域，该IGBT可用于太阳能逆变器和风力发电变流器中，实现高效的能量转换和管理。此外，在UPS系统中，PSND150E/04 可以提供稳定的功率输出，确保电力中断时的无缝切换。
SGW40N150UD-2, FGL75N150D1
