时间：2025/9/14 2:09:58
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PSMP033-60YEX 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和卓越的开关性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大漏极电流（Id）：20A
导通电阻（Rds(on)）：0.033Ω（最大）
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
最大功耗（Pd）：62.5W
PSMP033-60YEX 具有优异的导通和开关特性，适合用于高效能功率转换器。其低导通电阻可显著降低传导损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性和高耐压能力，能够在高温度和高应力环境下可靠运行。器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，确保了优异的开关性能和动态响应。
PSMP033-60YEX 的封装设计支持良好的散热性能，使其适用于需要高功率密度的设计。该器件的栅极驱动要求较低，能够与标准逻辑驱动器兼容，从而简化电路设计并降低成本。此外，其高耐用性和长期可靠性使其成为工业电源、DC-DC转换器和电机控制应用中的理想选择。
PSMP033-60YEX 广泛应用于各种功率电子系统，包括但不限于：电源供应器（如开关电源、AC-DC和DC-DC转换器）、电机驱动器、电池管理系统、负载开关、太阳能逆变器以及工业自动化控制电路。其高效的性能和可靠的封装设计，使其特别适合于对效率和散热要求较高的应用场合。
IRFZ44N, FDP047N06, Si444N
