时间：2025/9/14 5:49:06
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PSMNR90-40YLHX 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于 STripFET? F7 系列的产品之一。该器件专为高效率、高频率的功率转换应用而设计，适用于如电源供应器、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等领域。其采用了先进的沟槽栅技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和开关损耗，同时在高温环境下仍能保持良好的稳定性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大漏极电流（Id）：90A
导通电阻（Rds(on)）：@10V Vgs下为5.7mΩ，@4.5V Vgs下为7.2mΩ
栅极电荷（Qg）：29nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1850pF（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6 HV
安装类型：表面贴装
PSMNR90-40YLHX 具备多项先进特性，首先，其采用的 STripFET? F7 技术显著降低了导通电阻和开关损耗，从而提高了整体能效。其次，该器件的低栅极电荷（Qg）使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关过程中的能量损耗。
此外，PSMNR90-40YLHX 的封装设计优化了热管理性能，PowerFLAT 5x6 HV 封装具备较低的热阻（Rth），有助于快速散热，从而提升器件在高负载条件下的可靠性。该封装还具有较高的机械强度和优异的焊接性能，确保在复杂工作环境下的稳定运行。
该 MOSFET 在高温环境下依然保持良好的性能，工作温度范围从 -55°C 到 175°C，适用于严苛的工业和汽车应用环境。同时，它具备较强的抗雪崩能力和过流保护特性，提高了系统的整体鲁棒性。
PSMNR90-40YLHX 主要适用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统，例如服务器电源、电信电源、DC-DC 同步降压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电机驱动控制电路。此外，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、48V 轻混动力系统、电动助力转向系统（EPS）等场景。
由于其优异的热性能和紧凑的封装形式，PSMNR90-40YLHX 也适合用于空间受限的设计中，例如便携式设备的电源管理和高密度功率模块。该器件的低导通电阻和高频开关特性使其成为高性能电源转换应用的理想选择。
STL150N4LF7AG, PSMNR90-40YLC, PSMN9040YHXC
